サステナビリティ
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/ 原文長 約6263文字
２ 【サステナビリティに関する考え方及び取組】 当社グループのサステナビリティに関する取組みは、2020年にSDGｓを経営に取り込み、重点課題（マテリアリティ）を「本業（省エネ・高効率化）によるＣＯ ２ の削減」と「事業活動を通じた環境負荷の低減」と定めて活動を行っております。また、これらの活動を支える動きとして「働きやすさの価値創造」を目指し、安心・安全な職場の実現や柔軟な働き方への志向、そして社員の健康の向上を図っております。こうしたサステナビリティへの動きを一層活発化させるため、2021年10月にサステナビリティ委員会を設置し、ＥＳＧ経営としての施策の明確化・指標化を行うなど、推進体制の整備を実施しております。 また、当社グループでは、「持続可能な社会環境の実現に向け、高い信頼性と最先端の技術を用いたパワーエレクトロニクスとその周辺領域の製品の開発・生産・販売を通じて、国際社会の発展に寄与」することをグループＣＳＲ基本方針のひとつとして掲げています。持続可能な社会環境を実現するためには、気候変動への対応が重要課題であると認識しており、国内外のサステナビリティ開示で広く利用されている「気候関連財務情報開示タスクフォース（TCFD:Task Force on Climate-related Financial Disclosures）」の提言に沿った取り組み並びに情報開示を進めております。 なお、文中の将来に関する事項は、当連結会計年度末現在において当社グループが判断したものであります。 （１）ガバナンス ＥＳＧ経営を推進するにあたり「サステナビリティ委員会」を中心に、環境・社会・ガバナンスの３部会と気候変動等のテーマごとのチーム活動を展開しています。この部会・チーム活動は当社グループのメンバーで構成されており、グループ一丸の活動体制としています。各部会・チームからサステナビリティ委員会への報告は、半期に一回行われています。その結果は、代表取締役社長を最高責任者とする業務執行の最高意思決定機関である「経営会議」に報告され、取締役会にも上申されています。そこで協議・決議された内容が、サステナビリティ委員会および配下の各部会・チームにフィードバックされています。2022年度は、臨時開催を含め、サステナビリティ委員会は３回、各部会は４回ずつ、チームの会議は50回開催されました。また、サステナビリティに関する事項は、経営会議へ13回答申されました。サステナビリティ委員会の委員長は「ＥＳＧ担当役員」である取締役 吉田智が務めております。 また、TCFD提言の「ガバナンス」項目では、気候関連のリスクと機会に対応するガバナンス体制の設置と開示が求められており、当社では「ＥＳＧ経営」を組織横断的に審議する「サステナビリティ委員会」がその役割を担っています。…
研究開発活動
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/ 原文長 約2016文字
６ 【研究開発活動】 当社グループは事業ドメインを「Power Electronics」と定め、この分野において一段上の企業像を目指すべく研究開発活動を進めております。基本方針としては、エコ・省エネ、グリーンエネルギー市場を核とした成長戦略の実現及び技術マーケティングの確立と効率的な開発マネジメントによる新製品開発の促進を掲げ、連結子会社にも研究開発部門を有し、グループを挙げて研究開発に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発費の総額は売上高の11.99％に当たる 27,024 百万円であります。 半導体デバイス事業においては、製品開発における技術マーケティングの導入により成長市場へのシフトを担う製品開発に注力するとともに、共通コンセプトによる設計改革、業務改革を推進し開発スピードのアップを図っております。また、成長著しい新興国向けの汎用品の製品開発にも積極的に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発の主な成果は次のものがあります。 ・現行品に比べ大幅にノイズ特性を改善し、多様なアプリケーション対応が可能な産業機器向けモータドライバIPM SAM212M10BF1を開発 。 ・従来のGen.2構造に対しセルの微細化、N drift層と基板の低抵抗化により、単位面積当たりのオン抵抗を2.5mΩcm2に低減し、チップサイズを約24％縮小、高耐圧・高効率の材料SiC（シリコンカーバイド）を用いた第三世代(Gen.3)1200V SiC-MOSFETを開発。 ・トレンチ設計、不活性領域の外周構造及びSub層を見直すことで、低 I R を維持したまま低V F 化とプロセス工程削減を可能にした第二世代(Gen2)トレンチSBDを開発。 ・車載ADAS用デジタルPMIC「MD6801」を用い、オフセット誤差並びに温特誤差を補正する手法をアナログ制御電源及びデジタル制御電源ともに構築し、高精度な電源システムを開発。 ・外部抵抗のみで変更可能な定電流制御機能と駆動電流の急速遮断機能を有し、高電圧、大電流用途のコンタクタの制御回路に最適なｘＥＶ高圧バッテリー用コンタクタドライバLS1908を開発。 ・Webカメラを用いたオンライン会議で使用するLED光源の分光強度分布による顔の印象に与える影響について検証し、光源開発を行う。 ・高電流密度化したFS-IGBTを搭載し高効率化を実現、放熱経路を見直し、DCB基板を採用することで放熱性を維持しつつ小型化、端子数と端子配置を最適化し、小型化と端子間絶縁性を両立させた高圧三相モータドライバIC SIM2-151を開発。…
設備投資等の概要
抽出本文
/ 原文長 約1084文字
２ 【主要な設備の状況】 当社グループにおける主要な設備は、以下の通りであります。 (1) 提出会社 事業所名 (所在地) 設備の 内容 帳簿価額(百万円) 従業員数 (名) 建物及び 構築物 機械装置 及び運搬具 土地 (面積千㎡) リース 資産 その他 合計 本社・ 半導体技術センター (埼玉県新座市) 本社事務統括・製造及び研究開発設備 5,230 315 34 （20) 281 5,862 707 川越工場 (埼玉県川越市) 賃貸不動産及び設備 497 24 57 （37) 581 その他 (東京都豊島区他) 販売及び渉外業務他 153 115 460 （22) 185 916 128 (2) 国内子会社 会社名 事業所名 (所在地) 設備の 内容 帳簿価額(百万円) 従業員数 (名) 建物及び 構築物 機械装置 及び運搬具 土地 (面積千㎡) リース 資産 その他 合計 石川サンケン 株式会社 堀松工場 他３工場 (石川県 志賀町) 製造設備 5,478 4,012 1,170 （470) 637 11,298 937 山形サンケン 株式会社 (山形県 東根市) 製造設備 2,288 2,109 638 （65) 573 5,614 397 福島サンケン 株式会社 (福島県 二本松市) 製造設備 1,344 1,705 300 （50) 109 3,468 307 (3) 在外子会社 会社名 事業所名 (所在地) 設備の 内容 帳簿価額(百万円) 従業員数 (名) 建物及び 構築物 機械装置 及び運搬具 土地 (面積千㎡) リース 資産 その他 合計 アレグロ マイクロシステムズ エルエルシー (米国ニューハンプシャー州マンチェスター他) 製造設備 5,408 21,169 2,054 （11) 〔45〕 2,252 6,501 37,386 4,660 ピーティー サンケン インドネシア (インドネシア 西ジャワ州 ブカシ) 製造設備 118 172 〔50〕 32 323 484 大連三墾電気 有限公司 (中国遼寧省 大連市) 製造設備 1,334 2,707 〔17〕 618 4,660 411 ポーラー セミコンダクター エルエルシー (米国 ミネソタ州 ブルーミントン) 製造設備 4,537 6,028 708 （58) 363 3,665 15,302 516 (注) １ 帳簿価額のうち「その他」は、工具、器具及び備品及び建設仮勘定の合計であります。 ２ 土地の一部を賃借しております。〔 〕は外書であります。