株式会社KOKUSAI ELECTRIC

証券コード: 6525 / 対象年度: 2024 / 提出日: 2024-06-27
業種 電気機器

現在、過去年度の有価証券報告書に基づく分析を表示しています。

このページは、EDINETに提出された有価証券報告書をもとに、 企業のリスク認識・投資領域・経営方針を自動整理したものです。

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3分で読める事業概要

有価証券報告書の記載内容をもとに、事業内容・主なサービス・確認ポイントを自動整理した参考情報です。

事業の概要

半導体製造装置の製造・販売・保守サービスをグローバルに展開する企業です。特に前工程における「成膜」および「熱処理」工程において、世界トップクラスのシェアを持つバッチALD技術やトリートメント技術を有しており、高度な技術力と品質の信頼性を強みとしています。

主な事業領域

半導体製造装置(前工程)の提供。特に成膜工程におけるバッチALDおよび熱処理工程におけるトリートメント装置に注力。

主な製品・サービス

  • バッチ成膜装置(AdvancedAce®シリーズ、TSURUGI® 剱®シリーズ)
  • トリートメント(膜質改善)装置

ビジネスモデル

半導体製造装置の提供および、メンテナンス、修理、部品供給、移設・改造などのアフターサービスの提供による収益。

セグメント・事業構成

半導体製造装置事業単一セグメント

戦略・方向性

高度な技術と高生産性を両立するバッチALDやトリートメント技術の活用、アフターサービスの拡充、DXを活用した生産効率向上、およびESG経営の推進。

強みとして読み取れる点

  • 世界シェア1位のバッチALD技術(成膜)
  • 世界シェア3位のトリートメント装置(熱処理)
  • 高度な技術力と品質の信頼性

課題として読み取れる点

  • 半導体デバイスメーカーによる投資抑制の影響(特にNAND向け)
  • 複雑化・微細化するデバイス構造への対応

確認ポイント

  • 先端品向けの設備投資の活発化状況
  • バッチALDおよびトリートメント技術の市場シェア維持
  • アフターサービスの拡充とDX活用による生産効率向上

概要整理の信頼度: 4 / 5 ・事業内容、主要製品、市場シェア、経営戦略が詳細に記載されており、概要把握には十分な情報があるため。

有報ナビによる分析

有価証券報告書の記載内容をもとに、リスク、経営方針、 投資・研究開発に関する情報を整理したものです。

各スコアは、有価証券報告書の記載内容を整理するための参考指標です。 5段階表示で、スコアが高いほど各項目の性質が強く出ていることを表します。 ただし、投資判断、企業価値、将来業績を評価・予測するものではありません。

特に「リスク開示記載度」は、高いほど良いという意味ではありません。 有報上で注意して読むべきリスク記述が多い、具体的、または重い可能性があるという意味です。

スコアの詳しい見方
リスク開示記載度
スコアが高いほど、有価証券報告書に記載されたリスク開示について、 注意して読むべき記述の多さ・具体性・重さが強いことを表します。 企業そのものの危険度や倒産リスクを示すものではありません。
方針記載度
スコアが高いほど、経営方針、対処すべき課題、資本政策、 リスク対応などが具体的に記載されていることを表します。 方針の良し悪しや実現可能性を判定するものではありません。
投資・変化記載度
スコアが高いほど、設備投資、研究開発、新規事業、DX、海外展開、 事業構造の変化など、将来に向けた取り組みの記載が強いことを表します。 成長性や投資成果を予測するものではありません。

リスク開示の整理

リスク開示記載度: 2 / 5

有報ナビによる整理

マクロ経済環境(地政学的リスク、貿易摩擦等)の影響、半導体市場の変動や競合他社との競争、主要顧客への高い依存度、調達・生産における供給遅延やコスト上昇、巨額の借入金および減損リスクを伴う多額ののれん(資産の30.8%)、KKRによる保有株式に伴う利害関係の相違。対応策として、サステナビリティ委員会による管理、研究開発を通じた高付加価値化、マルチベンダー化、仕入先への供給停止に関する1年前通知義務付け、ISO認証に基づく品質・環境管理、コンプライアンス体制の整備等を実施。

経営方針・課題の整理

方針記載度: 4 / 5

有報ナビによる整理

半導体製造装置の成膜・熱処理分野で高い技術力と市場シェアを誇る。バッチALD技術による競争優位性を確立しており、高度な技術革新への投資とサービスビジネスの拡大を通じて持続的な成長を目指す。地政学的リスクや特定顧客への依存といった課題に対し、製品の高付加価値化と多角的な事業展開で対応する方針。

成長方針

バッチALD技術やトリートメント技術を用いた高付加価値製品の展開、サービスビジネス(保守・部品販売)の拡大、DX活用による生産効率向上、および10年先を見据えた研究開発体制の強化。特にNANDからLogic/Foundry、DRAM分野への展開を推進。

資本政策

内部留保による運転資金の調達を基本とし、設備投資は案件ごとに手持ち資金または長期借入金で対応。新生産棟建設に向けた資金需要も手持ち資金で賄う計画。

リスク対応方針

サステナビリティ委員会によるリスク管理、地政学的リスクや輸出規制への対応、サプライチェーンの多重化(マルチベンダー化)、製品の高付加価値化による価格転嫁、および情報セキュリティ体制の強化。

関連する原文は、下部の「有報本文」に掲載しています。

投資・研究開発・成長施策の整理

投資・変化記載度: 5 / 5

有報ナビによる整理

同社はバッチALD技術において世界トップクラスのシェアを誇る成膜・トリートメント装置メーカー。高度な技術革新と高生産性の両立により、3D構造化する半導体デバイスへの対応力を強みとする。新規拠点の設立による生産能力拡大と、サービスビジネスを通じたリカーリングな収益基盤の強化を並行して進めており、先端半導体市場の成長を取り込む体制が整っている。

設備投資の方向性

新工場(砺波事業所)の建設による生産能力の倍増、および既存拠点の開発・デモ評価エリアの拡張に向けた積極的な設備投資を実施。

研究開発・商品開発

高度な成膜技術と高生産性の両立を目指すバッチALD技術をコア技術とし、3D構造や先端デバイスへの対応に向けた研究開発に注理。10年先を見据えたR&D体制の強化(横浜拠点の新設等)も推進。

投資・変化テーマ

  • バッチALD技術
  • 三次元構造への対応
  • 高付加価値成膜・トリートメント装置
  • サービスビジネスの拡大
  • 生産能力の拡充

関連キーワード

  • ALD (Atomic Layer Deposition)
  • CVD
  • Batch ALD
  • Treatment
  • AdvancedAce®
  • TSURUGI®
  • High-productivity
  • 3D Structure
  • Wafer Fab Equipment

財務情報

提出書類の財務情報を、会計基準や表示範囲とあわせて整理しています。

表示基準

会計基準IFRS 連結区分連結 対象期間2023-04-01 〜 2024-03-31 表示状況表示可能

提出日: 2024-06-27

財務情報

業績

収益

1,808.38億円
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収益
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営業利益

307.45億円
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税引前利益

297.57億円
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親会社帰属利益

223.74億円
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財政状態・流動性

総資産

3,754.33億円
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資本

1,873.88億円
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親会社所有者帰属持分

1,873.88億円
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現金及び現金同等物

926.19億円
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キャッシュフロー

3区分

営業CF

+29.42億円
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-119.5億円
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-63.12億円
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財務項目の関係

資本項目の関係

同値だが別Fact
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参考情報

別基準の参考値

主要指標とは別に掲載

経常利益

223.28億円
会計基準
日本基準
連結区分
単体
比較可能性
主要値とは直接比較できません

会計基準と連結区分が主要値と異なるため、直接比較できません。

根拠・定義
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経常利益又は経常損失
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確認事項

開示上の確認事項

この表示に確認事項はありません。

文書情報を確認
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S100TV4Y
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連結 / consolidated
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2023-04-01 〜 2024-03-31
表示状況
表示可能
選定状況
一部項目未表示
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ready
raw selection status
partial

有報本文

有報ナビによる整理の根拠となる原文を、項目ごとに確認できます。

事業・経営に関する有報本文

有価証券報告書から抽出した本文の一部です。抽出位置や区分は自動処理のため、原文全体の確認もあわせて推奨します。

事業・経営に関する有報本文を表示

事業の内容

抜粋表示 / 原文長 約5117文字

3【事業の内容】 当社グループは、当社及び連結子会社7社で構成され、半導体製造装置の製造・販売・保守サービスを主な内容としてグローバルに事業活動を展開しております。当社グループは、半導体製造装置事業の単一セグメントであるため、ビジネスごとに分類して記載いたします。 (1)装置ビジネス 当社グループでは、半導体の製造に使用する装置の製造及び販売を行っております。半導体の製造プロセスの概略図を(図-1)に示します。半導体は、シリコンウェーハ上に、回路を形成していく工程を何度も繰り返して製造していきます。回路形成工程は、回路形成に必要な薄膜等を形成する成膜工程、成膜後に熱をかけて結晶サイズを揃える(アニール)等の熱処理工程、成膜上に回路を形成するパターニングを行うリソグラフィ工程、パターンに沿って膜を取り除くエッチング工程、各工程間でウェーハを洗浄する洗浄工程、各工程間での検査工程で構成されます。シリコンウェーハ上にこれらの工程を繰り返して回路を形成する製造工程を総称して前工程と呼んでおります。そして、前工程の工程ごとに高度な専用技術を要したさまざまな装置が使用されることで半導体が製造されます。当社グループでは、前工程における「成膜」工程の装置を主力製品として、また「熱処理」工程に用いられる装置の製造及び販売をしております。 図-1 半導体製造前工程と当社グループ適応製品 「成膜」工程とは、シリコンウェーハの回路形成における回路素材となるポリシリコン膜や絶縁膜等の薄膜を形成する工程を指します。当社グループでは、その成膜工程の中でLP-CVD製品のほかに、ALD(注1)に対応した製品を提供しております。 一方、「熱処理」工程とは、熱酸化(注2)膜を形成するプロセスや、成膜後に加熱して膜中の結晶サイズを揃える(アニール)プロセス、成膜後に注入した不純物を加熱して均一に拡散するプロセス、また、プラズマを用いて成膜後に膜質を改善する(トリートメント)プロセスなどを指します。当社グループでは、本工程に最適なプロセス技術にて装置提供を行っております。 これらの工程は、シリコンウェーハの回路形成において重要な役割を担うことから、各装置に、高度な技術と品質の信頼性の高い製品提供が必要となります。 (注1)当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を「ALD」と呼んでおります。 (注2)シリコン基板表面から内部にかけて高純度の酸化をする方法。熱酸化には、ドライ酸化、ウエット酸化などいくつかの方法があります。 当社グループが装置メーカーとして取り組んでいる最も重要な課題についてご説明します。それは、デバイス構造の複雑化を原因とする成膜プロセスの生産性の低下という問題です。…

経営方針・経営戦略・対処すべき課題

抜粋表示 / 原文長 約4724文字

1【経営方針、経営環境及び対処すべき課題等】 文中における将来に関する事項は、本書提出日現在において当社が判断したものであります。 (1)企業理念 当社グループは、ステークホルダーの皆様との対話をより一層深め、技術で未来を支えていく決意を込めた企業理念として「KOKUSAI ELECTRIC Way」を掲げております。 (2)経営方針 当社グループは、企業理念の実現に向け、半導体製造装置専業メーカーとして社会的責任を強く自覚し、事業活動とESGの取り組み(環境・社会課題の解決、ガバナンスの強化)の両側面から経済価値及び環境・社会価値を追求することにより、SDGsの達成に寄与するとともに、持続可能な社会の実現と当社グループの持続的な発展の両立をめざしてまいります。 (3)経営戦略 当社グループは、半導体製造プロセスの前工程における「成膜」工程に注力しており、バッチ成膜装置、トリートメント(膜質改善)装置で世界トップクラスのシェアを有しております。近年、半導体デバイス構造の微細化や構造の複雑化、三次元化によってウェーハの表面が複雑な形状になり、高品質な薄膜等を形成するにはより高度な技術が必要とされています。これに対して当社グループは、難易度の高い成膜と高い生産性を両立するバッチALD成膜技術や、高い生産性を維持しつつ形成された薄膜の膜質を改善するトリートメント技術を生かした高付加価値製品の販売拡大や研究開発に注力し、事業拡大を図ってまいります。また、装置のライフサイクル全体にわたって、メンテナンスや修理、部品供給、移設・改造などお客様のニーズに合わせたアフターサービスの拡充を図るとともに、今後の需要拡大に対応するための生産体制及び開発体制の拡充、DXを活用した生産効率向上にも注力してまいります。 ESGの取り組みでは、設定した5つのマテリアリティに基づき、課題解決に向けた活動を推進してまいります。 また、ディスクロージャーポリシーに則り、ステークホルダーの皆様と積極的に対話を行ってまいります。 (4)中期計画 当社グループは、WFE(Wafer Fab Equipment:半導体製造装置市場)の市場規模および市場成長を前提として、中期目標を設定しております。詳細は、当社ウェブサイト(URL:https://www.kokusai-electric.com/ir)にて公開しております。 (5)経営環境 半導体製造装置市場に大きく影響する半導体デバイス市場の規模は、2010年の約3,000億ドルに対し、12年後の2022年には約6,100億ドルと2倍以上へ拡大しており、2023年から2028年まで年平均成長率9.5%で成長することが予想されております(注1)。…

対処すべき課題

抜粋表示 / 原文長 約4724文字

1【経営方針、経営環境及び対処すべき課題等】 文中における将来に関する事項は、本書提出日現在において当社が判断したものであります。 (1)企業理念 当社グループは、ステークホルダーの皆様との対話をより一層深め、技術で未来を支えていく決意を込めた企業理念として「KOKUSAI ELECTRIC Way」を掲げております。 (2)経営方針 当社グループは、企業理念の実現に向け、半導体製造装置専業メーカーとして社会的責任を強く自覚し、事業活動とESGの取り組み(環境・社会課題の解決、ガバナンスの強化)の両側面から経済価値及び環境・社会価値を追求することにより、SDGsの達成に寄与するとともに、持続可能な社会の実現と当社グループの持続的な発展の両立をめざしてまいります。 (3)経営戦略 当社グループは、半導体製造プロセスの前工程における「成膜」工程に注力しており、バッチ成膜装置、トリートメント(膜質改善)装置で世界トップクラスのシェアを有しております。近年、半導体デバイス構造の微細化や構造の複雑化、三次元化によってウェーハの表面が複雑な形状になり、高品質な薄膜等を形成するにはより高度な技術が必要とされています。これに対して当社グループは、難易度の高い成膜と高い生産性を両立するバッチALD成膜技術や、高い生産性を維持しつつ形成された薄膜の膜質を改善するトリートメント技術を生かした高付加価値製品の販売拡大や研究開発に注力し、事業拡大を図ってまいります。また、装置のライフサイクル全体にわたって、メンテナンスや修理、部品供給、移設・改造などお客様のニーズに合わせたアフターサービスの拡充を図るとともに、今後の需要拡大に対応するための生産体制及び開発体制の拡充、DXを活用した生産効率向上にも注力してまいります。 ESGの取り組みでは、設定した5つのマテリアリティに基づき、課題解決に向けた活動を推進してまいります。 また、ディスクロージャーポリシーに則り、ステークホルダーの皆様と積極的に対話を行ってまいります。 (4)中期計画 当社グループは、WFE(Wafer Fab Equipment:半導体製造装置市場)の市場規模および市場成長を前提として、中期目標を設定しております。詳細は、当社ウェブサイト(URL:https://www.kokusai-electric.com/ir)にて公開しております。 (5)経営環境 半導体製造装置市場に大きく影響する半導体デバイス市場の規模は、2010年の約3,000億ドルに対し、12年後の2022年には約6,100億ドルと2倍以上へ拡大しており、2023年から2028年まで年平均成長率9.5%で成長することが予想されております(注1)。…

経営成績・財政状態の概況

抜粋表示 / 原文長 約7907文字

4【経営者による財政状態、経営成績及びキャッシュ・フローの状況の分析】 (1)経営成績等の状況の概要 当社グループ(当社、連結子会社及び持分法適用会社)の財政状態、経営成績及びキャッシュ・フロー(以下、「経営成績等」という。)の状況の概要は次のとおりであります。 ① 財政状態及び経営成績の状況 a.財政状態 当連結会計年度末の総資産は、3,754億円となり、前期末と比べ19億円増加しました。将来に向けた部材確保等により棚卸資産は205億円増加、富山県砺波市の新工場建設等により有形固定資産が166億円増加しました。一方で顧客投資抑制・延伸による売上収益減少に伴い営業債権及びその他の債権は186億円減少、下記②キャッシュ・フローの状況に記載のとおり現金及び現金同等物は134億円減少、無形資産は償却等により60億円減少しました。 負債合計は、1,880億円となり、前期末に比べ246億円減少しました。主な内容として、契約負債が66億円減少し、借入金は60億円減少、営業債務及びその他の債務が51億円減少しました。 資本は、1,874億円となり、前期末に比べ265億円増加しました。主な内容として、親会社の所有者に帰属する当期利益の計上により利益剰余金が227億円増加し、為替相場の変動に伴う在外営業活動体の換算差額の増加等によりその他の資本の構成要素が33億円増加しました。 b.経営成績 当連結会計年度における世界経済は、緩やかな景気回復基調にあったものの、欧州における地政学リスクの長期化や中東情勢の悪化、欧米各国の政策金利の引き上げによる金融不安、為替相場の変動等の影響により、先行き不透明な状況が続きました。 当社グループを取り巻く事業環境は、不透明な経済環境を受けてスマートフォンやパソコン等の電子機器の需要が引き続き低調に推移し、NANDを中心に一部の半導体デバイスメーカーの投資抑制が続きました。しかし、半導体デバイス市場では在庫調整が進んでおり、メモリーデバイス単価の上昇が見られ始めたことから、市況が底を打ったとの見方をしております。一方、中国ではパワーデバイスを含む成熟ノード向けの設備投資が活発化しているほか、世界各国でも先端品開発に対する投資は継続されており、市況の回復に伴って先端品への設備投資が活発化するものと期待されています。さらに、中長期的には、スマートフォンやパソコン等の電子機器の需要拡大に加え、5G、AI、IoT、DX等の拡がりによるデータセンターの拡充や環境負荷低減への投資(GX)等により、半導体関連市場は大きな成長が見込まれております。 このような状況のもと、当連結会計年度における当社グループの売上収益は、半導体デバイスメーカーのNANDに対する投資抑制を受け、1,808億円(前期比26.4%減)となりました。…

セグメント関連

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6.セグメント情報 (1)報告セグメントの概要 当社グループの事業セグメントは、当社の構成単位のうち分離された財務情報が入手可能であり、取締役会が、経営資源の配分の決定及び業績を評価するために、定期的に検討を行う対象となっているものであります。 当社グループは半導体製造装置事業を行っており、事業セグメントは半導体製造装置事業単一となっております。 (2)セグメント収益及び業績に関する情報 当社グループは、半導体製造装置事業による単一セグメントであるため、記載を省略しております。 (3)地域別に関する情報 売上収益及び非流動資産の地域別内訳は以下のとおりであります。 売上収益 (単位:百万円) 前連結会計年度 (自 2022年4月1日 至 2023年3月31日) 当連結会計年度 (自 2023年4月1日 至 2024年3月31日) 日本 32,961 22,019 米国 13,618 10,659 中国 82,935 83,282 台湾 41,425 18,613 韓国 56,453 37,912 その他アジア 14,435 6,617 欧州他 3,894 1,736 海外計 212,760 158,819 合計 245,721 180,838 (注) 売上収益は、販売仕向先の所在地によっております。 非流動資産 (単位:百万円) 前連結会計年度 (2023年3月31日) 当連結会計年度 (2024年3月31日) 日本 137,098 144,359 韓国 3,823 6,970 その他 1,605 1,656 合計 142,526 152,985 (注) 非流動資産は、資産の所在地によっており、有形固定資産、使用権資産、のれん、無形資産を含んでおります。 (4)主要な顧客に関する情報 外部顧客への売上収益のうち、連結損益計算書の売上収益の10%以上を占める相手先は以下のとおりであります。 (単位:百万円) 前連結会計年度 (自 2022年4月1日 至 2023年3月31日) 当連結会計年度 (自 2023年4月1日 至 2024年3月31日) Samsung Electronics Co., Ltd. 53,950 35,774 CXMT Corporation (注) 26,153 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. 30,478 (注) Micron Technology, Inc. 24,973 (注) (注) 前連結会計年度又は当連結会計年度において連結売上収益の10%未満であるため、記載を省略しております。 7.営業債権及びその他の債権 営業債権及びその他の債権の内訳は以下のとおりであります。…

リスクに関する有報本文

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事業等のリスク

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3【事業等のリスク】 本書に記載した事業の状況、経理の状況等に関する事項のうち、経営者が当社グループの財政状態、経営成績及びキャッシュ・フローの状況に重要な影響を与える可能性があると認識している主なリスク、リスク顕在化の可能性、顕在化の時期、連結業績への影響度及びリスクへの対応は、以下のとおりです。 なお、文中の将来に関する事項は、本書提出日現在において当社が判断したものであり、将来において発生の可能性がある全てのリスクを網羅するものではありません。 (1)マクロ経済環境 (顕在化の可能性:中、顕在化の時期:中期~長期、影響度:大) 当社グループはグローバルに事業を展開しており、当社グループの業績は国内外の景気、経済動向、社会情勢及び地政学的リスク等に影響されます。例えば、半導体デバイスの急激な需要の増減や需給バランスの悪化によって、半導体デバイスメーカーの設備投資計画に大きな変更が生じれば、当社グループの調達、製造コスト、販売の計画に影響が生じる可能性があります。また、国際的な貿易紛争や製品の国産化施策に伴う関税、貿易障壁、国産メーカー支援強化等の政策により、当社グループにおける製造コストの上昇、国を跨いだ輸送の遅延、販売機会の変化等が生じる可能性があります。また、ロシア・ウクライナ問題の長期化、世界的なインフレの長期化、インフレ抑制のための金利上昇、新興国の成長鈍化、中台関係の悪化、中東及び北朝鮮での地政学的リスクの増大等により世界経済が低迷する場合、当社グループの主要な販売地域にも影響を及ぼす可能性があります。加えて、「(9)感染症の世界的流行」に記載のとおり、感染症の世界的な感染拡大等が再度発生した場合、消費者行動及び事業活動を含む世界全体の経済活動に影響が生じる可能性があります。 当社グループは、マクロ経済環境について注視しながら事業運営を進めていく方針ですが、上記のような影響が生じた場合、当社グループの事業や経営成績、財政状態及びキャッシュ・フローの状況に影響を及ぼす可能性があります。 2023年3月期には、2022年10月7日付米国輸出管理規則(EAR)(注1)の改正公布により、米国製半導体製造装置について中国の特定の先端半導体メーカーへの輸出が禁止され、さらに2022年12月16日付で複数の中国の半導体メーカーが米国政府の発行する制裁リスト(Entity List)に掲載されました。また、日本においても、全世界向けを対象とした先端半導体製造装置の輸出規制に関する改正法令が2023年5月23日に公布され、7月23日に施行されました。このような米中貿易紛争は日本や他国にも波及し、中国の半導体デバイスメーカーのみならず他の大手半導体デバイスメーカーの投資計画に影響を及ぼすなど、今後の半導体業界にとっての大きなリスクであると懸念されます。…

投資・研究開発に関する有報本文

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研究開発・設備投資などの有報本文を表示

サステナビリティ

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2【サステナビリティに関する考え方及び取組】 文中の将来に関する事項は、本書提出日現在において当社グループが判断したものであります。 当社グループは、事業活動を通じて社会の信頼・期待に応えていくことが企業の社会的責任であると考えております。 当社グループのサステナビリティ経営は、この社会的責任を強く自覚した上で、事業活動とESGの取り組み(環境・社会課題の解決、ガバナンスの強化)の両側面から経済価値及び環境・社会価値を追求することにより、SDGsの達成に寄与するとともに、持続可能な社会の実現と当社グループの持続的な発展の両立をめざすものです。 当社グループでは、企業理念の見直し、マテリアリティ(重要取り組み課題)の特定、専門会議体の設置、国際的イニシアティブへの参画などにより、強固なサステナビリティ経営基盤を構築し、さまざまな活動を推進しております。 (1)ガバナンス 当社はサステナビリティ活動を牽引する専門の会議体として、社長執行役員を委員長としたサステナビリティ委員会を取締役会の下部組織として設置し、半期に1回開催しております。サステナビリティ委員会は、さまざまな社会課題、事業課題に対応するために必要な専門性をもった委員で構成しております。委員会の審議事項は、マテリアリティ、外部の要求事項、外部コンサルタント等の意見等を考慮しながら決定しており、サステナビリティ関連方針の検討、マテリアリティから具体化するESGの各重点テーマに対する目標設定やその進捗管理、また、ビジネスリスク・マネジメントなどについて幅広く審議しております。委員会を中心としたサステナビリティ活動の状況は、社内に周知するとともに、四半期に1回、取締役会に報告しております。 (2)戦略 当社グループでは、SDGs達成への貢献と当社グループの持続的な発展の両立をめざすため、重点的に取り組む課題としてマテリアリティを特定しております。国際的に要求されている事項や、当社グループのサステナビリティ経営課題から、マテリアリティ候補を抽出・整理し、ステークホルダーの皆様と当社グループのそれぞれにとって重要度の高い項目をマトリクス評価により絞り込んでおります。これらの重要項目は、取締役会において自社の取り組みや戦略との整合性を確認の上、特定しております。 特定した5つのマテリアリティから、重点テーマ、さらには活動アイテムへと具体化し、KPIを定めて進捗管理しており、その状況はサステナビリティ委員会や取締役会でフォローアップしております。 マテリアリティの特定プロセスや、社内推進活動の状況は、積極的に社内外に公表し、ステークホルダーの皆様との対話を促進していきたいと考えております。…

研究開発活動

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6【研究開発活動】 当社グループで行っている研究開発活動は、 ・現世代品の改善に向けたコンポーネント技術の研究開発 ・次世代のバッチ成膜装置における成膜の研究開発 ・次世代の枚葉装置におけるトリートメント(膜質改善)技術の研究開発 ・次々世代の要素技術及び新製品の研究開発 であります。 これらの活動は、原則として当社のみで行っておりますが、次々世代の研究開発の一部においては、大学や外部機関との協業にて推進しております。また、顧客との間では、当社評価機を貸し出してのデバイス開発も行っております。 また、成膜・トリートメント技術・ソフトウェアの研究開発は、ハード・ソフトウェア開発を担当するシステム開発本部とプロセス開発を担当するプロセス開発本部にて、対応しております。 当社グループを取り巻く半導体デバイス市場は、コロナ禍の影響が心配されましたが、巣ごもり需要、リモート業務といった新しい社会現象が生み出されたこともあり、NANDフラッシュを始めとするメモリーに加えファンドリー向けの設備投資も堅調で、当初計画を上回る推移となりました。今後もデータセンター向けの需要を下支えに、5Gの普及、自動車産業の回復及びAI活用が追い風になり、一層の成長が期待されますが、デバイスのさらなる高機能化、高集積化に加え、要素から製品開発までのサイクルタイムの短縮が要求されております。 これらの要求に対し、表面積が一段と増大する三次元積層デバイスに適応する高機能成膜技術やトリートメント・キュア技術の研究・開発を推進しております。 前者の高機能成膜技術は主力製品であるバッチ成膜装置で、より低コストを可能とするラージバッチ炉、また精密な制御でより高機能な成膜を実現できるミニバッチ炉の技術開発を推進しております。 一方、後者のトリートメント・キュア技術は、枚葉装置でプラズマ等の活性化技術を駆使し、各種アプリケーションの開発を推進しております。 上述のプロセス、プラットフォームの開発に加え、温度制御、供給系、排気系などの各種コンポーネントの要素開発では、外部(大学、各種研究機関、及び原料メーカーを始めとするパートナー各社)との協業を一層強化しております。 外部協業の推進により開発サイクルの短縮を図っておりますが、シミュレーション技術の適用拡大やデバイス測定環境の内製化による分析・解析技術力の向上にて、効率的な開発を実現しております。 研究開発成果について、絶縁膜やメタルプロセスのバッチ装置において、さらなる膜品質向上と高生産性を実現し、メモリーデバイス向けを中心に、PORの維持拡大に貢献することができました。また、各種コンポーネント開発と合わせた次世代向けプラットフォームの開発も加速できており、来期以降の市場展開に向け引き続き開発を継続してまいります。…

設備投資等の概要

抜粋表示 / 原文長 約1347文字

2【主要な設備の状況】 当社グループにおける主要な設備は、次のとおりであります。また、当社グループは半導体製造装置事業の単一セグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しております。 (1)提出会社 2024年3月31日現在 事業所名 (所在地) 設備の内容 帳簿価額 従業員数 (人) 建物 及び構築物 (百万円) 機械装置 及び運搬具 (百万円) 土地 (百万円) (面積㎡) その他 (百万円) 合計 (百万円) 富山事業所 (富山県富山市) バッチ成膜装置・トリートメント装置用生産設備他 5,967 4,712 1,620 (147,684) 936 13,235 963 本店 (東京都千代田区) 事務用機器他 26 (-) 18 44 173 寮/社宅等 (富山県富山市) 福利施設他 306 487 ( 16,338) 793 (注)1.帳簿価額のうち「その他」は、工具器具及び備品と使用権資産であり、建設仮勘定は含んでおりません。 2.主要な設備のうち連結会社以外から賃借している設備はありません。 (2)国内子会社 2024年3月31日現在 会社名 事業所名 (所在地) 設備の内容 帳簿価額 従業員数 (人) 建物 及び構築物 (百万円) 機械装置 及び運搬具 (百万円) 土地 (百万円) (面積㎡) その他 (百万円) 合計 (百万円) 株式会社国際電気セミコンダクターサービス 本店 (富山県富山市) 半導体製造 装置の物流 設備他 121 47 261 (31,776) 258 687 199 (注)1.帳簿価額のうち「その他」は、工具器具及び備品と使用権資産であり、建設仮勘定は含んでおりません。 2.主要な設備のうち連結会社以外から賃借している設備はありません。 (3)在外子会社 2024年3月31日現在 会社名 事業所名 (所在地) 設備の内容 帳簿価額 従業員数 (人) 建物及び 構築物 (百万円) 機械装置 及び運搬具 (百万円) 土地 (百万円) (面積㎡) その他 (百万円) 合計 (百万円) Kokusai Semiconductor Equipment Corporation 本社 (米国 デラウェア州) 営業・保守設備他 59 311 (-) 300 671 107 Kokusai Semiconductor Europe GmbH 本社 (ドイツ エアクラート市) 営業・保守設備他 62 21 (1,685) 89 179 50 科意半導体設備(上海)有限公司 本社 (中国 上海市) 営業・保守設備他 12 198 (-) 249 459 367 亜太國際電機股份有限公司 本社 (台湾 新竹市) 営業・保守設備他 74 (-) 233 306 283 Kook Je Electric Korea Co., Ltd.…

その他の有報本文

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補足セクションの有報本文を表示

配当政策

抽出本文 / 原文長 約712文字

3【配当政策】 当社は、研究開発投資・設備投資の強化を最優先に、将来の事業展開のために必要な内部留保を確保しつつ、株主の皆様に対する安定的・継続的かつ積極的な利益還元を経営の重要課題と考え、連結配当性向20%から30%程度を目安に剰余金の配当を行っていくことを予定しております。加えて、ネットキャッシュ(注1)がプラスに転換した後は、さらなる株主利益と資本効率の向上に向け、有利子負債分割償還後フリー・キャッシュ・フロー(注2)の70%程度に相当する金額を配当及び自己株式取得に充当することをめざしてまいります。また自己株式については、保有する株式数の上限を設定し、上限を超過した株式は消却することを基本としております。 (注1)ネットキャッシュ=現金及び現金同等物-有利子負債 (注2)有利子負債分割償還後フリー・キャッシュ・フロー=営業活動によるキャッシュ・フロー + 投資活動によるキャッシュ・フロー-有利子負債の分割償還額 当社は、毎年3月31日を基準日とした期末配当、毎年9月30日を基準日とした中間配当のほか、基準日を定め剰余金の配当をすることができる旨を定款に定めております。また、会社法第459条第1項各号に定める事項については、法令に特段の定めがある場合を除き、取締役会の決議によって剰余金の配当を行うことができる旨を定款に定めており、剰余金の配当を行う場合は、期末配当及び中間配当の年2回を基本方針としております。 (注) 基準日が当事業年度に属する剰余金の配当は、以下のとおりであります。 決議年月日 配当金の総額(百万円) 1株当たり配当額(円) 2024年5月10日 2,562 11 臨時取締役会

従業員の状況

抽出本文 / 原文長 約1098文字

5【従業員の状況】 当社グループは半導体製造装置事業の単一セグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しております。 (1)連結会社の状況 2024年3月31日現在 従業員数(人) 2,483 (注) 従業員数は就業人員(当社グループからグループ外への出向者を除き、グループ外から当社グループへの出向者を含む。)であり、定年後再雇用社員は従業員数に含めております。 (2)提出会社の状況 2024年3月31日現在 従業員数(人) 平均年齢(歳) 平均勤続年数(年) 平均年間給与(円) 1,125 44.5 19.9 8,581,613 (注)1.従業員数は就業人員(当社から社外への出向者を除き、社外から当社への出向者を含む。)であり、定年後再雇用社員は従業員数に含めております。 2.平均年間給与は、賞与及び基準外賃金を含んでおります。 (3)労働組合の状況 当社の労働組合は、KOKUSAI ELECTRIC労働組合と称し、日立国際電気グループ労働組合に加盟しており、2024年3月31日現在の組合員数は822人であります。 また、一部連結子会社においても、労働組合が組織されておりますが、当社を含めて労使関係は円満に推移しており、現在、組合と会社との間に特記すべき事項はありません。 (4)管理職に占める女性労働者の割合、男性労働者の育児休業取得率及び労働者の男女の賃金の差異 ① 提出会社 当事業年度 管理職に占める女性労働者の割合(%) (注1) 男性労働者の育児休業取得率(%) (注2) 労働者の男女の賃金の差異(%) (注1) 全労働者 うち正規雇用労働者 うちパート・ 有期労働者 4.2 65.5 76.4 77.0 51.1 (注)1.「女性の職業生活における活躍の推進に関する法律」(平成27年法律第64号)の規定に基づき算出したものであります。 2.「育児休業、介護休業等育児又は家族介護を行う労働者の福祉に関する法律」(平成3年法律第76号)の規定に基づき、「育児休業、介護休業等育児又は家族介護を行う労働者の福祉に関する法律施行規則」(平成3年労働省令第25号)第71条の4第1号における育児休業等の取得割合を算出したものであります。 ② 連結子会社 連結子会社は、「女性の職業生活における活躍の推進に関する法律」(平成27年法律第64号)及び「育児休業、介護休業等育児又は家族介護を行う労働者の福祉に関する法律」(平成3年法律第76号)の規定による公表義務の対象ではないため、記載を省略しております。 有価証券報告書(通常方式)_20240627104045

コーポレート・ガバナンス

抜粋表示 / 原文長 約8765文字

(1)【コーポレート・ガバナンスの概要】 ① コーポレート・ガバナンスに関する基本的な考え方 当社は、経営の効率化を図るとともに、経営の健全性及び透明性を高めていくことが長期的に企業価値を向上させ、株主をはじめとしたステークホルダーの皆さまの利益につながるものと考えております。 このような認識の下、当社は今後もコーポレート・ガバナンスのさらなる強化に努めてまいります。 ② 企業統治の体制の概要及び当該体制を採用する理由 a.企業統治の体制の概要 当社は、業務執行者に対する監督機能を強化することを目的とし監査等委員会設置会社を選択しております。経営と執行を分離し、取締役会は、執行役員の選任を含む重要な業務執行の決定により経営全般に対する監督機能を有し、監査等委員会が、執行、経営に対して適法性、妥当性の監査を行うことにより、持続的な企業価値の向上を実現できると考えております。 (取締役会) 取締役会は、金井史幸(代表取締役社長執行役員)を議長とし、小川雲龍(取締役)、柳川秀宏(取締役専務執行役員)、塚田和徳(取締役専務執行役員)、中村正樹(取締役)、酒井紀子(社外取締役)、鶴田雅明(社外取締役)、関根千津(社外取締役)、神谷勇二(監査等委員)、熊谷均(監査等委員、社外取締役)及び中田裕人(監査等委員、社外取締役)の11名の取締役で構成され、原則として毎月1回開催するとともに、必要に応じて随時開催しております。取締役会では、法令及び定款に定められた事項並びに重要な業務執行に関する事項を審議・決定するとともに、執行役員による職務執行を含め経営全般に対する監督を行っております。取締役会は、より広い見地からの意思決定と客観的な業務執行の監督を行うため、11名の取締役のうち5名を社外取締役としております。当事業年度において当社は取締役会を20回開催しております。 役職名 氏名 開催回数 出席回数 出席率 代表取締役 社長執行役員 金井 史幸 20回 20回 100% 取締役 神谷 勇二 20回 20回 100% 取締役 小川 雲龍 20回 20回 100% 取締役 中村 正樹 20回 20回 100% 社外取締役 酒井 紀子 20回 20回 100% 社外取締役 鶴田 雅明 20回 20回 100% 社外取締役 平野 博文 20回 20回 100% 監査等委員 内野 敏幸 20回 20回 100% 監査等委員 社外取締役 熊谷 均 20回 20回 100% 監査等委員 社外取締役 中田 裕人 20回 20回 100% (注)1.神谷勇二氏及び小川雲龍氏は、2024年4月1日付で執行役員を退任しております。 2.神谷勇二氏は、2024年6月27日付で取締役を退任し、監査等委員である取締役に選任されております。 3.…

重要な契約等

抽出本文 / 原文長 約533文字

5【経営上の重要な契約等】 (1)株式会社三井住友銀行等との借入契約 当社は2021年3月24日付で、株式会社三井住友銀行をエージェントとする金銭消費貸借契約を締結しております。当該金銭消費貸借契約の主な契約内容は、以下のとおりであります。詳細は、「第5 経理の状況 1 連結財務諸表等 (1)連結財務諸表 連結財務諸表注記 13.借入金」をご参照ください。 1 契約の相手先 株式会社三井住友銀行、株式会社三菱UFJ銀行、株式会社みずほ銀行、三井住友信託銀行株式会社及び株式会社日本政策投資銀行 2 借入金額 タームローンA 30,000百万円、タームローンB 95,000百万円 3 借入枠 コミットメントライン 10,000百万円 4 返済期限 タームローンA:2021年9月末より6ヶ月ごとに返済(最終返済日2026年3月29日) タームローンB:最終返済日(2026年3月29日)に返済 5 金利 基準金利(全銀協 TIBOR 運営機関が公表する日本円TIBOR)+各スプレッド 各スプレッドはグロス・レバレッジ・レシオに応じたプライシンググリッドを適用 6 主な借入人の義務 ① 当社グループの年次事業計画、決算書等の定期的な義務 ② 財務制限条項の遵守

大株主の状況

抜粋表示 / 原文長 約1467文字

(6)【大株主の状況】 2024年3月31日現在 氏名又は名称 住所 所有株式数 (千株) 発行済株式(自己株式を除く。)の総数に対する所有株式数の割合(%) KKR HKE INVESTMENT L.P. PO BOX 309, UGLAND HOUSE, GRAND CAYMAN, KY1-1104, CAYMAN ISLANDS 101,026 43.4 BNYM AS AGT/CLTS NON TREATY JASDEC (常任代理人 株式会社三菱UFJ銀行) 240 GREENWICH STREET, NEW YORK, NEW YORK 10286 U.S.A. (東京都千代田区丸の内2丁目7-1) 34,760 14.9 KSP Kokusai Investments, LLC 4111 EAST 37TH STREET NORTH, WICHITA, KANSAS 67220, U.S.A. 15,620 6.7 SSBTC CLIENT OMNIBUS ACCOUNT (常任代理人 香港上海銀行東京支店) ONE CONGRESS STREET, SUITE 1, BOSTON, MASSACHUSETTS (東京都中央区日本橋3丁目11-1) 14,083 6.0 Qatar Holding LLC c/o Qatar Investment Authority, Ooredoo Tower(Building 14), Al Dafna Street(Street 801), Al Dafna(Zone 61), Doha, Qatar 11,520 4.9 日本マスタートラスト信託銀行株式会社(信託口) 東京都港区赤坂1丁目8番1号赤坂インターシティAIR 9,803 4.2 株式会社日本カストディ銀行(信託口) 東京都中央区晴海1丁目8-12 2,051 0.9 BNYM SA/NV FOR BNYM FOR BNY GCM CLIENT ACCOUNT M LSCB RD (常任代理人 株式会社三菱UFJ銀行) ONE CHURCHILL PLACE, LONDON, E14 5HP UNITED KINGDOM (東京都千代田区丸の内2丁目7-1) 1,952 0.8 NORTHERN TRUST CO. (AVCF) RE IEDU UCITS CLIENTS NON LENDING 15 PCT TREATY ACCOUT (常任代理人 香港上海銀行東京支店) 50 BANK STREET CANARY WHARF LONDON E14 5NT, UK (東京都中央区日本橋3丁目11-1) 1,507 0.…

出典

データ元
EDINET 有価証券報告書
docID
S100TV4Y 外部サイト(EDINET公式サイト)を開きます

技術情報

分析バージョン
2024
使用モデル
gemma4:12b

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