株式会社三社電機製作所 年度比較

2017年度

経済環境による設備投資動向や価格競争の影響。為替相場およびカントリーリスク（不買運動、法規制、政情不安）への対応。原材料（銅、鉄鋼、樹脂）の市況急変時の価格転嫁遅れ。提携先の都合による協力関係の中断。資産の減損、繰延税金資産の評価、会計・税制変更の影響。製造物責任に伴うコストや評判への影響。特に半導体生産拠点が岡山工場のみであるため、地震や火災等の災害時に供給が遅延するリスク。

2026年度

経済環境（貿易規制、為替等）による受注への影響に対し、情報共有と経営判断で対応。品質不備による損害に対し、品質管理体制を構築。開発遅れや提携解消、素材価格・部品調達の不安定さに対し、開発計画の共有、複数仕入先の確保、コスト削減、価格交渉等で対応。設備投資過剰や外注先リスクに対し、投資判断基準の明確化や協力体制の強化を実施。国際情勢（地政学、自然災害）や競合・価格競争に対し、情報収集、サプライチェーン再構築、R&Dによる差別化で対応。知的財産侵害への法的措置、コンプライアンス/セキュリティ対策、人材確保のためのDX推進、環境規制への適合体制の整備、為替・金利変動へのヘッジ等を実施。

2017年度

パワーエレクトロニクスに特化し、強固な技術基盤を背景に「3G計画」を通じてグローバル展開と新製品開発を推進。太陽光市場の減速などの外部要因による影響を受けつつも、次世代半導体（SiC）やサービス事業への注力で成長を目指す。

2026年度

パワーエレクトロニクス分野で強固な技術基盤を持ち、特にSiC半導体とインフラ向け電源機器を成長の柱に据えている。カーボンニュートラルやAI需要拡大といったマクロトレンドに合致した戦略を有し、高度な技術開発と効率的な資本運用を通じて競争優位性の確立を目指す。

2017年度

同社はパワーエレクトロニクスに特化した技術力を持ち、特にSiCパワー半導体と電力変換・制御技術の融合により次世代エネルギー分野（太陽光、蓄電池）への対応を強化。研究開発では高度なモジュール設計や環境負荷低減技術を追求しており、強固なパートナーシップと多角的な電源ソリューションを提供することで成長を目指す。

2026年度

同社は、カーボンニュートラルやAI普及に伴う電力需要増を背景に、成長性の高いSiC半導体とデータセンター向け電源機器の二本柱で攻勢をかけています。研究開発においては次世代材料への対応と高度な制御技術の追求を両立しており、DXによる生産性向上も経営課題として取り組んでいます。